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NE4210S01-T1B Technische Spezifikationen

HJ-FET 13DB S01

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - HF
Manufacturer CEL (California Eastern Laboratories)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Test 2V
Transistor Type HFET
Power - Output -
Package / Case 4-SMD
Gain 13dB
Current Rating 15mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Rated 4V
Supplier Device Package SMD
Packaging Tape & Box (TB)
Noise Figure 0.5dB
Frequency 12GHz
Current - Test 10mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NE4210S01 CEL (California Eastern Laboratories) Transistoren - FETs, MOSFETs - HF 4692
NE4210S01 CEL RF-MOSFET-Transistoren
NE4210S01-T1 RENESAS Spezialisierte heiße ICs 2669
NE4210S01-T1 TEL:88834448 NEC Spezialisierte heiße ICs 9999000
NE4210S01-T1B CEL RF-MOSFET-Transistoren
NE4210S01-T1B Rochester Electronics, LLC RF-MOSFET-Transistoren
NE4210S01-T1B IC Renesas Electronics America Spezialisierte heiße ICs 5440
NE4210S01-T1B-A RENESAS Spezialisierte heiße ICs 3343
NE4210S01-T1B/JT NEC Spezialisierte heiße ICs 4000
NE4211M01-T1 NEC Spezialisierte heiße ICs 11324

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