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NP0G3D100A Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet
Manufacturer Panasonic
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 4.7k, 47k
Power - Max 125mW
Package / Case SOT-963
Frequency - Transition 150MHz, 80MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SSSMini6-F1
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k, 47k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 80mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NP0G3A000A Panasonic Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2704
NP0G3A000A Panasonic Electronic Components BJT-Transistor-Arrays
NP0G3A300A Panasonic Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2644
NP0G3A300A Panasonic Electronic Components BJT-Transistor-Arrays
NP0G3D100A Panasonic Electronic Components BJT-Transistor-Arrays
NP0G3D200A Panasonic Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 59424
NP0G3D200A Panasonic Electronic Components BJT-Transistor-Arrays
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