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NSB13211DW6T1G
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NSB13211DW6T1G Technische Spezifikationen
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 4.7k, 10k |
Power - Max | 230mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k, 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
NSB13211DW6T1G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSB13211DW6T1G | Rochester Electronics, LLC | BJT-Transistor-Arrays | |
NSB13ANT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TVS-Dioden | 2602 |
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NSB13211DW6T1G Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NSB13211DW6T1G Referenzpreis. NSB13211DW6T1G Parameter, NSB13211DW6T1G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NSB13211DW6T1G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NSB13211DW6T1G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NSB13211DW6T1G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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