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NTD110N02R-001G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package I-Pak
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta), 110W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.5A (Ta), 110A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3440pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 24V
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NTD110N02R-001G Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NTD110N02R-001G Referenzpreis. NTD110N02R-001G Parameter, NTD110N02R-001G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NTD110N02R-001G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NTD110N02R-001G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NTD110N02R-001G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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