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NTD6600N-1G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 12A IPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package I-Pak
Power Dissipation (Max) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 146 mOhm @ 6A, 5V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTD6600G ON Spezialisierte heiße ICs 1486
NTD6600N AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2638
NTD6600N-001 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5000
NTD6600N-1G Rochester Electronics, LLC NTD6600N-1G
NTD6600NT4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4711
NTD6600NT4 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2697
NTD6600NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 57425
NTD6600NT4G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3843

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