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NTMD2C02R2G Technische Spezifikationen

MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43 mOhm @ 4A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 10V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SOIC
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.2A, 3.4A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTMD2C02R2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 375
NTMD2C02R2 ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NTMD2C02R2G ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NTMD2C02R2G Rochester Electronics, LLC MOSFETs Transistor Arrays
NTMD2C02R2G MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 18995
NTMD2C02R2SG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2584
NTMD2C02R2SG ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NTMD2C02R2SG Rochester Electronics, LLC MOSFETs Transistor Arrays
NTMD2P01R2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 3900
NTMD2P01R2 ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays

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