PBRN113ES,126 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 1k
Power - Max 700mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.15V @ 8mA, 800mA
Supplier Device Package TO-92-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 1k
Packaging Tape & Box (TB)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 300mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PBRN113EK,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2756
PBRN113EK,115 NXP USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren
PBRN113ES,126 NXP USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren
PBRN113ET NXP Spezialisierte heiße ICs 1282
PBRN113ET,215 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2618
PBRN113ET,215 Nexperia USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren
PBRN113ZK,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2527
PBRN113ZK,115 NXP USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren
PBRN113ZS,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2795
PBRN113ZS,126 NXP USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren

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