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PBSS5112PAP,115 Technische Spezifikationen

TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Power - Max 510mW
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 500mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 480mV @ 100mA, 1A
Supplier Device Package DFN2020-6
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PBSS5112PAP,115 Nexperia USA Inc. Arrays BJT-Transistoren
PBSS5120T NXP Spezialisierte heiße ICs 992
PBSS5120T,215 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2686
PBSS5120T,215 Nexperia USA Inc. Einzelne BJT-Transistoren
PBSS5120T215 NXP Spezialisierte heiße ICs 3797
PBSS5130PAP NXP Spezialisierte heiße ICs 2565
PBSS5130PAP,115 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2615
PBSS5130PAP,115 Nexperia USA Inc. Arrays BJT-Transistoren
PBSS5130QA Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2704
PBSS5130QAZ Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2532

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PBSS5112PAP,115 Markenhersteller: Nexperia, Bonchip Aktie, PBSS5112PAP,115 Referenzpreis. PBSS5112PAP,115 Parameter, PBSS5112PAP,115 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden PBSS5112PAP,115 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden PBSS5112PAP,115 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, PBSS5112PAP,115 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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