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PBSS5130QAZ Technische Spezifikationen

TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type PNP
Power - Max 325mW
Package / Case 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 130 @ 1A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 240mV @ 100mA, 1A
Supplier Device Package DFN1010D-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 170MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PBSS5112PAP,115 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2535
PBSS5112PAP,115 Nexperia USA Inc. Arrays BJT-Transistoren
PBSS5120T NXP Spezialisierte heiße ICs 992
PBSS5120T,215 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2686
PBSS5120T,215 Nexperia USA Inc. Einzelne BJT-Transistoren
PBSS5120T215 NXP Spezialisierte heiße ICs 3797
PBSS5130PAP NXP Spezialisierte heiße ICs 2565
PBSS5130PAP,115 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2615
PBSS5130PAP,115 Nexperia USA Inc. Arrays BJT-Transistoren
PBSS5130QA Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2704

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