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PBSS5330PA,135 Technische Spezifikationen

TRANS PNP 30V 3A HUSON3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type PNP
Power - Max 500mW
Package / Case 3-UDFN
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 3A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 320mV @ 300mA, 3A
Supplier Device Package 3-HUSON (2x2)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 165MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PBSS5112PAP,115 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2535
PBSS5112PAP,115 Nexperia USA Inc. Arrays BJT-Transistoren
PBSS5120T NXP Spezialisierte heiße ICs 992
PBSS5120T,215 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2686
PBSS5120T,215 Nexperia USA Inc. Einzelne BJT-Transistoren
PBSS5120T215 NXP Spezialisierte heiße ICs 3797
PBSS5130PAP NXP Spezialisierte heiße ICs 2565
PBSS5130PAP,115 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2615
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PBSS5130QA Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2704

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