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PBSS9110D,115 Technische Spezifikationen

TRANS PNP 100V 1A 6TSOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type PNP
Power - Max 700mW
Package / Case SC-74, SOT-457
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 500mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 320mV @ 100mA, 1A
Supplier Device Package 6-TSOP
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PBSS9110AS,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2526
PBSS9110D NXP Spezialisierte heiße ICs 27989
PBSS9110D ,115 NEXP Spezialisierte heiße ICs 16901
PBSS9110D,115 Nexperia USA Inc. Einzelne BJT-Transistoren
PBSS9110S,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2608
PBSS9110T NXP Spezialisierte heiße ICs 12337
PBSS9110T ,215 IC NXP Semiconductors / Freescale Spezialisierte heiße ICs 1080
PBSS9110T,215 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 18320
PBSS9110T,215 Nexperia USA Inc. Einzelne BJT-Transistoren
PBSS9110T/DG NXP Spezialisierte heiße ICs 3299

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