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PDTB113EQAZ Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Series Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base (R1) (Ohms) 1k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package DFN1010D-3
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 1k
Power - Max 325mW
Package / Case 3-XDFN Exposed Pad
Frequency - Transition 150MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PDTB113EK NXP Spezialisierte heiße ICs 27413
PDTB113EK,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2754
PDTB113EK,115 NXP USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren
PDTB113EQAZ Nexperia USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren
PDTB113ES,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2592
PDTB113ES,126 NXP USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren
PDTB113ET PHILIPS Spezialisierte heiße ICs 12443
PDTB113ET,215 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2712
PDTB113ET,215 Nexperia USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren
PDTB113ET215 NXP Spezialisierte heiße ICs 2595

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