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PMXB360ENEAZ Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta), 6.25W (Tc) |
Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 1.1A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 40V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
PMXB360ENEAZ Unterlagen
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-
Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'PMXB3'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
PMXB350UPE | Nexperia | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2708 |
PMXB350UPEZ | Nexperia | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2577 |
PMXB350UPEZ | Nexperia USA Inc. | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
PMXB360ENEA | Nexperia | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 46122 |
PMXB360ENEAZ | Nexperia USA Inc. | Einzelne MOSFET-Transistoren |
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PMXB360ENEAZ Markenhersteller: Nexperia, Bonchip Aktie, PMXB360ENEAZ Referenzpreis. PMXB360ENEAZ Parameter, PMXB360ENEAZ Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden PMXB360ENEAZ Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden PMXB360ENEAZ Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, PMXB360ENEAZ Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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