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PQMD3Z Technische Spezifikationen
TRANS NPN/PNP RET 6DFN
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | DFN1010B-6 |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 230mW |
Package / Case | 6-XFDFN Exposed Pad |
Frequency - Transition | 230MHz, 180MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
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-
Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
PQMD3Z | Nexperia USA Inc. | BJT-Transistor-Arrays |
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