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PRMD3Z Technische Spezifikationen
PRMD3/SOT1268/DFN1412-6
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Packaging | Original-Reel® |
Other Names | 1727-7394-6 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 100mA 230MHz 480mW Surface Mount DFN1412-6 |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | DFN1412-6 |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
Power - Max | 480mW |
Package / Case | 6-XFDFN Exposed Pad |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 13 Weeks |
Frequency - Transition | 230MHz |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
PRMD3Z Unterlagen
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
PRMD3Z | Nexperia USA Inc. | BJT-Transistor-Arrays |
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