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PUMD3,135 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 300mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package 6-TSSOP
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PUMD3 NXP Spezialisierte heiße ICs 75279
PUMD3 ,115 NXP Semiconductors / Freescale Spezialisierte heiße ICs 5302
PUMD3 IC NXP Semiconductors / Freescale Spezialisierte heiße ICs 10568
PUMD3+115 NXP Spezialisierte heiße ICs 2730
PUMD3,115 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2535
PUMD3,115 Nexperia USA Inc. BJT-Transistor-Arrays
PUMD3,125 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2692
PUMD3,125 Nexperia USA Inc. BJT-Transistor-Arrays
PUMD3,135 Nexperia USA Inc. BJT-Transistor-Arrays
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