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SI1499DH-T1-E3 Technische Spezifikationen
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 2.78W (Tc) |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±5V |
Supplier Device Package | SC-70-6 (SOT-363) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 2A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 4V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Tc) |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SI1499DH-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 3111 |
SI1499DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
SI1499DH-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 21925 |
SI1499DH-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 6943 |
SI1499DH-T1-GE3 MOS | VBSEMI | Spezialisierte heiße ICs | 19012 |
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SI1499DH-T1-E3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI1499DH-T1-E3 Referenzpreis. SI1499DH-T1-E3 Parameter, SI1499DH-T1-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI1499DH-T1-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI1499DH-T1-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI1499DH-T1-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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