SI1965DH-T1-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.25W
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 8V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Base Part Number SI1965
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SC-70-6 (SOT-363)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390 mOhm @ 1A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 6V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.3A
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