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SI2356DS-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package TO-236
Rds On (Max) @ Id, Vgs 51 mOhm @ 3.2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 370pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Tc)
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SI2356DS-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI2356DS-T1-GE3 Referenzpreis. SI2356DS-T1-GE3 Parameter, SI2356DS-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI2356DS-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI2356DS-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI2356DS-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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