SI3127DV-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 89 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 833pF @ 20V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta), 13A (Tc)
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SI3120C SK Spezialisierte heiße ICs 2500
SI3120DY-T1-E3 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 870
SI3120F SANKEN Spezialisierte heiße ICs 922
SI3122P SK Spezialisierte heiße ICs 2673
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SI3126-FM Energy Micro (Silicon Labs) Spezialisierte heiße ICs 724
SI3127DV-T1-E3 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 3015
SI3127DV-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 50027
SI3127DV-T1-GE3 Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren

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