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SI4276DY-T1-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3.6W, 2.8W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 6 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.6W, 2.8W Surface Mount 8-SO
Base Part Number SI4276
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SI4276DY Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 610
SI4276DY-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 500
SI4276DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays
SI4276DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 416
SI4276DY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 3080
SI4276DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays

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SI4276DY-T1-E3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI4276DY-T1-E3 Referenzpreis. SI4276DY-T1-E3 Parameter, SI4276DY-T1-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI4276DY-T1-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI4276DY-T1-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI4276DY-T1-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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