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SI4310BDY-T1-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.14W, 1.47W
Package / Case 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A, 9.8A 1.14W, 1.47W Surface Mount 14-SOIC
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 14-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2370pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A, 9.8A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SI4310BDY-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2507
SI4310BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays
SI4311-B10-GM Energy Micro (Silicon Labs) RF-Empfänger 862
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SI4310BDY-T1-E3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI4310BDY-T1-E3 Referenzpreis. SI4310BDY-T1-E3 Parameter, SI4310BDY-T1-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI4310BDY-T1-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI4310BDY-T1-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI4310BDY-T1-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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