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SI4542DY-T1-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Series TrenchFET®
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 6.9A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI4542DY-T1-E3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SO
Base Part Number SI4542
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SI4542DY-T1-E3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI4542DY-T1-E3 Referenzpreis. SI4542DY-T1-E3 Parameter, SI4542DY-T1-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI4542DY-T1-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI4542DY-T1-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI4542DY-T1-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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