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SI4972DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3.1W, 2.5W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.8A, 7.2A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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SI4972DY-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI4972DY-T1-GE3 Referenzpreis. SI4972DY-T1-GE3 Parameter, SI4972DY-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI4972DY-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI4972DY-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI4972DY-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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