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SI7102DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3720pF @ 6V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Detailed Description N-Channel 12V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI7102DN-T1-GE3TR SI7102DNT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
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SI7102DN-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI7102DN-T1-GE3 Referenzpreis. SI7102DN-T1-GE3 Parameter, SI7102DN-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI7102DN-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI7102DN-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI7102DN-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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