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SI8800EDB-T2-E1 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
Package / Case | 4-XFBGA, CSPBGA |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Detailed Description | N-Channel 20V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±8V |
Supplier Device Package | 4-Microfoot |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 1A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SI8800EDB-T2-E1TR SI8800EDBT2E1 |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 46 Weeks |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 8V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
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-
Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'SI880'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SI8800EDB-T2-E1 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 9476 |
SI8800EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
SI8800EDB-T2-E1 IC | Vishay Precision Group | Spezialisierte heiße ICs | 921 |
SI8800EDB-T2-E1 MOS | Vishay Precision Group | Spezialisierte heiße ICs | 1195236 |
SI8800EDB-T2-E1DKR-ND | Vishay Precision Group | Spezialisierte heiße ICs | 2260 |
SI8802DB-T2-E1 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2651 |
SI8802DB-T2-E1 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 970 |
SI8802DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
SI8805EDB-T2-E1 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 33570 |
SI8805EDB-T2-E1 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2900 |
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SI8800EDB-T2-E1 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI8800EDB-T2-E1 Referenzpreis. SI8800EDB-T2-E1 Parameter, SI8800EDB-T2-E1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI8800EDB-T2-E1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI8800EDB-T2-E1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI8800EDB-T2-E1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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