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SIB900EDK-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3.1W
Package / Case PowerPAK® SC-75-6L Dual
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SC-75-6L Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIB900EDK-T1-GE3TR SIB900EDKT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.7nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.5A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual
Base Part Number SIB900
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SIB900EDK-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 12393
SIB900EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays
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SIB900EDK-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIB900EDK-T1-GE3 Referenzpreis. SIB900EDK-T1-GE3 Parameter, SIB900EDK-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIB900EDK-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIB900EDK-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIB900EDK-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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