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SIE810DF-T1-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package 10-PolarPAK® (L)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13000pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Package / Case 10-PolarPAK® (L)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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SIE810DF-T1-E3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SIE810DF-T1-E3 Referenzpreis. SIE810DF-T1-E3 Parameter, SIE810DF-T1-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIE810DF-T1-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIE810DF-T1-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIE810DF-T1-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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