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SIHB24N65E-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Tube
Other Names SIHB24N65EE3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 122nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2740pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
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SIHB24N65E-E3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIHB24N65E-E3 Referenzpreis. SIHB24N65E-E3 Parameter, SIHB24N65E-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIHB24N65E-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIHB24N65E-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIHB24N65E-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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