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SIHD3N50D-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D-PAK (TO-252AA)
Power Dissipation (Max) 69W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 20 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SIHD3N50D-E3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2717
SIHD3N50D-E3 Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren
SIHD3N50D-GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5000
SIHD3N50D-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5000
SIHD3N50D-GE3 Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren

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SIHD3N50D-E3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIHD3N50D-E3 Referenzpreis. SIHD3N50D-E3 Parameter, SIHD3N50D-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIHD3N50D-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIHD3N50D-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIHD3N50D-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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