SIHF12N60E-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 937pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Series E
Power Dissipation (Max) 33W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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SIHF10N40D VB Spezialisierte heiße ICs 276
SIHF10N40D MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 5228
SIHF10N40D-E3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5000
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SIHF10N40D-E3 Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren
SiHF12N50C Vishay Spezialisierte heiße ICs 533
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SIHF12N50C-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 7920
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