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SIHP6N40D-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 311pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SIHP6N40D VB Spezialisierte heiße ICs 5000
SIHP6N40D-E3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2503
SIHP6N40D-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2757
SIHP6N40D-E3 Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren
SIHP6N40D-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2652
SIHP6N40D-GE3 Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren
SIHP6N65E Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 300
SIHP6N65E IC Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 490
SIHP6N65E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2738
SIHP6N80E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2598

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SIHP6N40D-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SIHP6N40D-GE3 Referenzpreis. SIHP6N40D-GE3 Parameter, SIHP6N40D-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIHP6N40D-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIHP6N40D-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIHP6N40D-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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