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SISF00DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Series TrenchFET® Gen IV
Power - Max 69.4W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8SCD
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8SCD
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SISF00DN-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SISF00DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays
SISF00DN-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 2738
SISF02DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays
SISF04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays

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SISF00DN-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SISF00DN-T1-GE3 Referenzpreis. SISF00DN-T1-GE3 Parameter, SISF00DN-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SISF00DN-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SISF00DN-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SISF00DN-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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