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SQJB90EP-T1_GE3 Technische Spezifikationen
MOSFET ARRAY 2N-CH 80V SO8
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Power - Max | 48W |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.5 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
SQJB90EP-T1_GE3 Unterlagen
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-
Datenblätter
SQJB90EP-T1_GE3.pdf
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SQJB90EP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 2514 |
SQJB90EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistor Arrays |
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SQJB90EP-T1_GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SQJB90EP-T1_GE3 Referenzpreis. SQJB90EP-T1_GE3 Parameter, SQJB90EP-T1_GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SQJB90EP-T1_GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SQJB90EP-T1_GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SQJB90EP-T1_GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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