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SQM35N30-97_GE3 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 300V 35A TO263
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 97 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5650pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 300V 35A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
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-
Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SQM35N30-97_GE3 | Vishay Siliconix | Einzelne MOSFET-Transistoren |
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SQM35N30-97_GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SQM35N30-97_GE3 Referenzpreis. SQM35N30-97_GE3 Parameter, SQM35N30-97_GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SQM35N30-97_GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SQM35N30-97_GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SQM35N30-97_GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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