SQM50028EM_GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 120A TO263-7

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 185nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263-7
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SQM50028EM_GE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 60V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-7
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