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SQS966ENW-T1_GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CHAN 60V

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power - Max 27.8W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 572pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 1.25A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SQS966ENW-T1_GE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
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SQS966ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays

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SQS966ENW-T1_GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SQS966ENW-T1_GE3 Referenzpreis. SQS966ENW-T1_GE3 Parameter, SQS966ENW-T1_GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SQS966ENW-T1_GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SQS966ENW-T1_GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SQS966ENW-T1_GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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