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TPR1000A Technische Spezifikationen

RF POWER TRANSISTOR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Supplier Device Package 55KV
Package / Case 55KV
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Frequency - Transition 1.09GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 1A, 5V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type -
Power - Max 2900W
Operating Temperature 200°C
Mounting Type Chassis Mount
Gain 6dB
Detailed Description RF Transistor 65V 80A 1.09GHz 2900W Chassis Mount 55KV
Current - Collector (Ic) (Max) 80A
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TPR1000 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 2732
TPR1000 Microsemi Corporation RF-BJT-Transistoren
TPR1000A Microsemi Corporation RF-BJT-Transistoren

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