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UMZ1NT1 Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SOT363

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN, PNP
Power - Max 250mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 114MHz, 142MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 2µA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
UMZ1N SOT363 Spezialisierte heiße ICs 213196
UMZ1N TN ROHM Spezialisierte heiße ICs 8406
UMZ1N TR ROHM Spezialisierte heiße ICs 2644
UMZ1N-TR LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3429
UMZ1NFHATR ROHM Spezialisierte heiße ICs 18225
UMZ1NFHATR ROHM Semiconductor Arrays BJT-Transistoren
UMZ1NGTR LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2741
UMZ1NT1 ON Semiconductor Arrays BJT-Transistoren
UMZ1NT1 Rochester Electronics, LLC Arrays BJT-Transistoren
UMZ1NT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 12208

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