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PBSS5580PA,115 Technische Spezifikationen

TRANS PNP 80V 4A SOT1061

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type PNP
Power - Max 2.1W
Package / Case 3-UDFN
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 2A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 420mV @ 200mA, 4A
Supplier Device Package 3-HUSON (2x2)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 110MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PBSS5112PAP,115 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2535
PBSS5112PAP,115 Nexperia USA Inc. Arrays BJT-Transistoren
PBSS5120T NXP Spezialisierte heiße ICs 992
PBSS5120T,215 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2686
PBSS5120T,215 Nexperia USA Inc. Einzelne BJT-Transistoren
PBSS5120T215 NXP Spezialisierte heiße ICs 3797
PBSS5130PAP NXP Spezialisierte heiße ICs 2565
PBSS5130PAP,115 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2615
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PBSS5130QA Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2704

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