2N6667G Technische Spezifikationen

2N6667G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Weight 6.000006g
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 2W
Current Rating -10A
Base Part Number 2N6667
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Transistor Type PNP - Darlington
Max Collector Current 10A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 100mA, 10A
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Continuous Collector Current 10A
Length 10.53mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-220-3
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -60V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Polarity PNP
Power Dissipation 2W
Transistor Application AMPLIFIER
Collector Emitter Voltage (VCEO) 60V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 5A 3V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Collector Emitter Breakdown Voltage 60V
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
hFE Min 1000
Height 15.75mm
Width 4.83mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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2N6660 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4579
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