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DTA114TET1G Technische Spezifikationen

ON SEMICONDUCTOR - DTA114TET1G - BRT TRANSISTOR, 50V, 10KOHM, SC75, FULL REEL

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating -100mA
Base Part Number DTA114
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
Height 800μm
Width 900μm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case SC-75, SOT-416
Number of Pins 3
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Polarity PNP
Power Dissipation 200mW
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Collector Emitter Saturation Voltage 250mV
hFE Min 160
Continuous Collector Current 100mA
Length 1.65mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTA1132KA ROHM Spezialisierte heiße ICs 24000
DTA1135EKAT146 ROHM Spezialisierte heiße ICs 3400
DTA113EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 12000
DTA113EET1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2749
DTA113EM3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA113TKA T146 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 11747
DTA113TKA T146 IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 11783
DTA113TKAT146 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2608
DTA113TKAT146 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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