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DTA115EET1 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-75, SOT-416
Published 2006
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating -100mA
Base Part Number DTA115
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
hFE Min 80
Continuous Collector Current 100mA
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Polarity PNP
Power Dissipation 200mW
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 100 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 100 k Ω
Lead Free Contains Lead
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTA1132KA ROHM Spezialisierte heiße ICs 24000
DTA1135EKAT146 ROHM Spezialisierte heiße ICs 3400
DTA113EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 12000
DTA113EET1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2749
DTA113EM3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA113TKA T146 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 11747
DTA113TKA T146 IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 11783
DTA113TKAT146 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2608
DTA113TKAT146 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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