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DTA123EM3T5G Technische Spezifikationen
TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signals |
Max Power Dissipation | 260mW |
Terminal Form | FLAT |
Current Rating | -100mA |
Base Part Number | DTA123 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
hFE Min | 8 |
Continuous Collector Current | 100mA |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 hours ago) |
Package / Case | SOT-723 |
Number of Pins | 3 |
Published | 2009 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Voltage - Rated DC | -50V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 3 |
Polarity | PNP |
Power Dissipation | 260mW |
Halogen Free | Halogen Free |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Max Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Datenblätter
Andere schließen ein "DTA12" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'DTA12'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
DTA123ECAT116 | LAPIS Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2553 |
DTA123ECAT116 | ROHM Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
DTA123EE | ROHM | Spezialisierte heiße ICs | 3432 |
DTA123EE TL | ROHM | Spezialisierte heiße ICs | 6010 |
DTA123EEBTL | ROHM Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
DTA123EEFRATL | LAPIS Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2598 |
DTA123EEFRATL | ROHM Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
DTA123EEFTL | LAPIS Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 1479 |
DTA123EET1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 598 |
DTA123EET1 | ON Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren |
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DTA123EM3T5G Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, DTA123EM3T5G Referenzpreis. DTA123EM3T5G Parameter, DTA123EM3T5G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTA123EM3T5G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTA123EM3T5G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTA123EM3T5G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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