EFC6601R-TR Technische Spezifikationen

Dual N-Channel Power MOSFET, 24V, 13A, 11.5mO

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case 6-XFBGA, FCBGA
Weight 68.407399mg
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 2W
Element Configuration Dual
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 24V
Turn-Off Delay Time 53 μs
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain to Source Resistance 11.5mOhm
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2007
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Pin Count 6
Turn On Delay Time 280 ns
Halogen Free Halogen Free
Rise Time 630ns
Fall Time (Typ) 47 μs
Continuous Drain Current (ID) 13A
FET Feature Logic Level Gate, 2.5V Drive
RoHS Status ROHS3 Compliant
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