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EFC6602R-A-TR Technische Spezifikationen

MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Package / Case 6-XFBGA, FCBGA
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Element Configuration Dual
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Turn-Off Delay Time 6.2 μs
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain to Source Resistance 5.9mOhm
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Max Power Dissipation 2W
Turn On Delay Time 530 ns
Halogen Free Halogen Free
Rise Time 2.1μs
Fall Time (Typ) 5.5 μs
Continuous Drain Current (ID) 53A
FET Feature Logic Level Gate, 2.5V Drive
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
EFC6601R-A-TR AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2603
EFC6601R-A-TR ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
EFC6601R-TR AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 782113
EFC6601R-TR ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
EFC6601R-TR IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 10004
EFC6602R-A-TR AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 17158
EFC6602R-TR AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 127325
EFC6602R-TR ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
EFC6604R-A-TR AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2613
EFC6604R-TF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 34404

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