EMZ1DXV6T5G Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 500mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 140MHz
Base Part Number EMZ1
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type NPN, PNP
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 60V
Collector Emitter Saturation Voltage -500mV
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
hFE Min 120
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 60V
Terminal Form FLAT
Current Rating 100mA
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 6
Polarity NPN, PNP
Power Dissipation 500mW
Gain Bandwidth Product 140MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 60V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Transition Frequency 180MHz
Frequency - Transition 180MHz 140MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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EMZ1DXV6T1 Rochester Electronics, LLC Arrays BJT-Transistoren
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