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EMZ1DXV6T1G Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type NPN, PNP
Power - Max 500mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-563
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 180MHz, 140MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
EMZ1DXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 4684
EMZ1DXV6T1 ON Semiconductor Arrays BJT-Transistoren
EMZ1DXV6T1 Rochester Electronics, LLC Arrays BJT-Transistoren
EMZ1DXV6T1G ON Semiconductor Arrays BJT-Transistoren
EMZ1DXV6T1G Rochester Electronics, LLC Arrays BJT-Transistoren
EMZ1DXV6T5 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2654
EMZ1DXV6T5 ON Semiconductor Arrays BJT-Transistoren
EMZ1DXV6T5 Rochester Electronics, LLC Arrays BJT-Transistoren
EMZ1DXV6T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2654
EMZ1DXV6T5G ON Semiconductor Arrays BJT-Transistoren

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