FDMQ86530L Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 12-WDFN Exposed Pad
Weight 242.3mg
Manufacturer Package Identifier 511CR
Packaging Digi-Reel®
Series GreenBridge™ PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 1.9W
Number of Elements 4
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN SOURCE
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5m Ω @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2295pF @ 30V
Rise Time 3.8ns
Fall Time (Typ) 2.8 ns
Continuous Drain Current (ID) 8A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0175Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 50A
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Feedback Cap-Max (Crss) 15 pF
Height 800μm
Width 4.5mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 12
Transistor Element Material SILICON
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e4
Part Status Active
Number of Terminations 12
Terminal Finish Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
Terminal Position DUAL
Configuration COMPLEX
Power Dissipation 1.9W
Turn On Delay Time 8.8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Turn-Off Delay Time 22 ns
Threshold Voltage 1.8V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 8A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Logic Level Gate
Turn On Time-Max (ton) 28ns
Length 5mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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