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FJV4112RMTF Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23-3
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Frequency - Transition 200MHz
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Power - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FJV4101RMTF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 3306
FJV4101RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 18260
FJV4101RMTF ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJV4102RLIMTF FAI Spezialisierte heiße ICs 6484
FJV4102RMTF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 8728
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